SI4967DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Blyfri / RoHS-kompatibel
Diskreta halvledarprodukter
SI4967DY-T1-GE3.pdf

1. Bekräfta detaljen som innehåller artikelnummer och tillverkaren av produkterna när du beställer.
2.Om du har en lista över material (BOM) kräver att offert. Du kan skicka till vår e-post.
3.Du kan skicka e-post till oss för att ändra beställningsinformationen innan leveransen.
4. Leverantörer kan inte avbokas efter att paketen har skickats.

Request Quote

Specifikationer
recensioner
Betalning
Frakt
Förpackning

Vgs (th) (Max) @ Id:	450mV @ 250µA (Min)
Leverantörs Device Package:	8-SO
Serier:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Effekt - Max:	2W
Förpackning:	Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:	Surface Mount
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:	55nC @ 10V
FET-typ:	2 P-Channel (Dual)
FET-funktionen:	Logic Level Gate
Avlopp till källspänning (Vdss):	12V
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:	-

Om du har fel kompnenter som inte är beställt. Vi kommer att undersöka vem som kommer att ta ansvar om problemet.

Om det är vårt kommer vi att leverera rätt kompnent för utbytesvaror efter att vi fått felaktiga kompnenter skickat tillbaka.

Om det är din kommer kunden att ta ansvar om det. För detaljer, vänligen kontakta vår kundservice eller försäljning.

SI4967DY-T1-GE3

Request Quote

Shopping Process

Relaterade produkter

Gissar du kan leta efter