TK62J60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Blyfri / RoHS-kompatibel
Diskreta halvledarprodukter
TK62J60W,S1VQ.pdf

Vi kan leverera Toshiba Semiconductor and Storage TK62J60W,S1VQ, använd formuläret för förfrågan offert för att begära TK62J60W,S1VQ pirce, Toshiba Semiconductor and Storage Datasheet PDF och lead time.Zeanoit.com är en professionell distributör av elektroniska komponenter. Med 3 + Miljardedelar av tillgängliga elektroniska komponenter kan ske med kort ledtid, över 250 tusen delnummer elektroniska komponenter på lager för omgående leverans, vilket kan innehålla artikelnummer TK62J60W,S1VQ. Priset och ledtiden för TK62J60W,S1VQ beroende på kvantitet krävs, tillgänglighet och lagerplats.

Request Quote

In Stock~~107 pcs~~: Minimum:1; multiplar:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Pris
1	$15.59
10	$14.175
25	$13.112
100	$12.049
250	$10.986

Specifikationer
recensioner
Betalning
Frakt
Förpackning

Vgs (th) (Max) @ Id:	3.7V @ 3.1mA
Vgs (Max):	±30V
Teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:	TO-3P(N)
Serier:	DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	38 mOhm @ 30.9A, 10V
Effektdissipation (Max):	400W (Tc)
Förpackning:	Tube
Förpackning / fall:	TO-3P-3, SC-65-3
Driftstemperatur:	150°C (TJ)
Monteringstyp:	Through Hole
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:	6500pF @ 300V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:	180nC @ 10V
FET-typ:	N-Channel
FET-funktionen:	Super Junction
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):	10V
Avlopp till källspänning (Vdss):	600V
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:	61.8A (Ta)