Begär ett citat
Svenska
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Begär offert
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > IRLR4343

IRLR4343

1. Bekräfta detaljen som innehåller artikelnummer och tillverkaren av produkterna när du beställer.
2.Om du har en lista över material (BOM) kräver att offert. Du kan skicka till vår e-post.
3.Du kan skicka e-post till oss för att ändra beställningsinformationen innan leveransen.
4. Leverantörer kan inte avbokas efter att paketen har skickats.

Request Quote

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
kommentarer

Shopping Process

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:D-Pak
Serier:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 4.7A, 10V
Effektdissipation (Max):79W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / fall:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Driftstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 50V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Avlopp till källspänning (Vdss):55V
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)


Om du har fel kompnenter som inte är beställt. Vi kommer att undersöka vem som kommer att ta ansvar om problemet.
Om det är vårt kommer vi att leverera rätt kompnent för utbytesvaror efter att vi fått felaktiga kompnenter skickat tillbaka.
Om det är din kommer kunden att ta ansvar om det. För detaljer, vänligen kontakta vår kundservice eller försäljning.

Relaterade produkter

Gissar du kan leta efter