DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Blyfri / RoHS-kompatibel
Diskreta halvledarprodukter
DMG6601LVT-7.pdf

1. Bekräfta detaljen som innehåller artikelnummer och tillverkaren av produkterna när du beställer.
2.Om du har en lista över material (BOM) kräver att offert. Du kan skicka till vår e-post.
3.Du kan skicka e-post till oss för att ändra beställningsinformationen innan leveransen.
4. Leverantörer kan inte avbokas efter att paketen har skickats.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; multiplar:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Pris
3000	$0.089
6000	$0.084
15000	$0.077
30000	$0.072
65535	$0.064

Specifikationer
recensioner
Betalning
Frakt
Förpackning

Vgs (th) (Max) @ Id:	1.5V @ 250µA
Leverantörs Device Package:	TSOT-26
Serier:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	55 mOhm @ 3.4A, 10V
Effekt - Max:	850mW
Förpackning:	Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Driftstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:	Surface Mount
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:	422pF @ 15V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:	12.3nC @ 10V
FET-typ:	N and P-Channel
FET-funktionen:	Logic Level Gate
Avlopp till källspänning (Vdss):	30V
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:	3.8A, 2.5A

Om du har fel kompnenter som inte är beställt. Vi kommer att undersöka vem som kommer att ta ansvar om problemet.

Om det är vårt kommer vi att leverera rätt kompnent för utbytesvaror efter att vi fått felaktiga kompnenter skickat tillbaka.

Om det är din kommer kunden att ta ansvar om det. För detaljer, vänligen kontakta vår kundservice eller försäljning.

DMG6601LVT-7

Request Quote

Shopping Process

Relaterade produkter

Gissar du kan leta efter