Begär ett citat
Svenska
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Begär offert
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - Bipolär (BJT) - Arrays, Pre-Biased > NSVMUN5312DW1T3G

NSVMUN5312DW1T3G

NSVMUN5312DW1T3G
Pris:
US$ 0.083
Kvantitet:
1. Bekräfta detaljen som innehåller artikelnummer och tillverkaren av produkterna när du beställer.
2.Om du har en lista över material (BOM) kräver att offert. Du kan skicka till vår e-post.
3.Du kan skicka e-post till oss för att ändra beställningsinformationen innan leveransen.
4. Leverantörer kan inte avbokas efter att paketen har skickats.

Request Quote

Out Stock0 pcs
Minimum:1
multiplar:1
Manufacturer lead time 10 weeks
Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
kommentarer

Shopping Process

Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistortyp:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Leverantörs Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serier:-
Motstånd - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Motstånd - Base (R1) (Ohms):22k
Effekt - Max:250mW
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / fall:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Monteringstyp:Surface Mount
Frekvens - Övergång:-
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Nuvarande - Collector Cutoff (Max):500nA
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max):100mA


Om du har fel kompnenter som inte är beställt. Vi kommer att undersöka vem som kommer att ta ansvar om problemet.
Om det är vårt kommer vi att leverera rätt kompnent för utbytesvaror efter att vi fått felaktiga kompnenter skickat tillbaka.
Om det är din kommer kunden att ta ansvar om det. För detaljer, vänligen kontakta vår kundservice eller försäljning.

Relaterade produkter

Gissar du kan leta efter